La tecnología funciona gracias a la distribución de alta tensión, mediante la formación de un transistor de gran potencia que ha sido diseñado a partir de óxido de zinc y la protección de este, con una capa de polímero.
La nueva tecnología permitirá a los circuitos de alimentación de energía ser fabricados en una amplia gama de superficies planas, lo cual conlleva el desarrollo de numerosas aplicaciones potenciales. La presentación de esta gran innovación, se realizó en Boston, en la pasada Reunión de Otoño de Materials Research Society del 2010.
Fujitsu ha anunciado que con este sistema quiere contribuir a la reducción de la huella ambiental, minimizar la potencia consumida por los suministros de energía eléctrica en aplicaciones, tales como equipos informáticos, electrodomésticos y automóviles.
En este sentido, la compañía ha elegido como material del oxido de zinc, por ser un semiconductor que puede ser utilizado como un transistor de alimentación con pocas pérdidas, ya que es un material que tiene un potencial para la creación de circuitos en cualquier superficie plana. En la actualidad se trabaja en la implantación de óxido de zinc sobre sustratos de vidrio, en superficies de cristal líquido de televisores y monitores, ha informado Fujitsu.
De esta forma, los laboratorios de Fujitsu han producido un transistor de 100V para uso de fuente de alimentación a base de indio-galio-zinc-oxido (IGZO) como material y protegerlo bajo un capa de polímero. Esta solución permite que sea fabricado directamente sobre substrato de cobre que se utiliza como material de packaging, facilitando una mayor disipación del calor y, en consecuencia, reduciéndose los costos.
Además, se puede desarrollar para aplicaciones como sensores de alta tensión y dispositivos piezoelectrónicos. Como planes de futuro, Fujitsu ha decidido continuar con sus investigaciones para poder poder incluirlo definitivamente en productos de TI a partir del 2015.
EP
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